详细说明
气压芯片内部包含硅膜片。硅膜片覆盖真空腔。硅膜片表面集成四个压敏电阻。四个压敏电阻连接成惠斯通电桥。大气压施加在硅膜片上。硅膜片受力产生形变。形变使硅膜片中心向下偏移。偏移量由大气压力值决定。压敏电阻阻值随膜片形变改变。两个电阻阻值增加。两个电阻阻值减小。惠斯通电桥输出差分电压。差分电压幅值与压力值成线性关系。芯片内置温度传感器。温度传感器监测硅膜片温度。温度补偿电路修正热漂移误差。模拟电压信号进入模数转换器。转换器产生16位数字信号。数字信号存入寄存器。芯片通过I2C接口输出数据。接口包含时钟线和数据线。读取指令发送后芯片响应数据包。数据包包含压力值和温度值。气压芯片尺寸为3毫米乘3毫米。芯片厚度为0.8毫米。工作电压范围1.7伏特至3.6伏特。测量范围300百帕至1100百帕。精度正负0.1百帕。刷新率每秒25次。安装时芯片底部开孔连通大气。开孔直径0.5毫米。开孔上方覆盖防水膜。防水膜阻挡液态水分子。水蒸气分子通过防水膜。防水膜材料为聚四氟乙烯。电路板焊接时使用无铅焊料。焊料熔点220摄氏度。焊接时间持续10秒。
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